【CNMO科技消息】随着AI计算需求快速增长，存储系统瓶颈正进一步显现。近日，闪迪（SanDisk）披露的一项专利显示，其正探索将NAND闪存与计算单元堆叠在单芯片封装中的方案，以缓解当前HBM供应紧张、容量受限及延迟等问题。
现阶段，AI加速器和GPU普遍依赖HBM提供高带宽内存支持，但HBM面临产能紧张、成本较高、单堆栈容量有限等现实约束。目前HBM单堆栈容量约为32GB至64GB，且通常与主芯片并置，数据传输仍存在一定延迟。相比之下，NAND闪存具备更高容量和更低成本优势，但传统方案中其距离计算芯片更远，传输速度也明显低于DRAM和HBM。
为此，闪迪此前提出HBF方案，即高带宽闪存架构。该方案参考HBM的层级设计思路，通过多个NAND层垂直堆叠，并使用TSV硅通孔进行互连，形成单一闪存堆栈。按照其规划，HBF容量可扩展至4TB，明显高于当前HBM水平。
在最新专利中，闪迪进一步提出3D堆叠方案。专利编号为US 12,430,274 B2，其核心思路是在主计算芯片下方集成基于CBA技术的NAND存储单元。该计算芯片可以是GPU或AI处理器，同时在同一中介层上继续配置HBM堆栈。两类存储在系统中分工不同：HBM负责需要即时响应的数据处理，NAND则承担读写操作和更大规模数据集的存储任务。
从设计角度看，这种方案试图结合HBM的高带宽与NAND的大容量、低成本优势，并通过更宽的连接方式改善数据传输效率，同时降低成本和功耗压力。不过，这一技术目前仍停留在专利阶段。包括功耗控制、制造成本、封装复杂度以及同时集成NAND与DRAM后的量产可行性，仍有待进一步验证。业内普遍认为，这类方案展示了存储与计算更深度融合的方向，但距离实际商用仍需时间。
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